• Импульсные диодные матрицы КД907Б-1, КД907Г-1

Импульсные диодные матрицы КД907Б-1, КД907Г-1

Голосов пока нет
Под заказ

Связаться с менеджером

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные бескорпусные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) с гибкими выводами без кристаллодержателя КД907Б-1, КД907Г-1, предназначенные для применения в составе гибридных интегральных микросхем.

Основные электрические параметры
Параметры Обознач. Ед. измер. Режимы измерения Миним. Типовое Максим.
Постоянный обратный ток Iобр. мкА Uобр.=40В 0,05 0,3 6
Постоянное прямое напряжение Uпр. В Iпр.=50мА 0,75 0,85 1
Общая ёмкость диода ДМП Сд пФ Uобр.=0 1 2 4
Заряд восстановления Qвос пКл Iпр.=50мА Uобр,и=10В 100 200 400
Предельно-допустимые режимы эксплуатации
Параметры Обозначение Единица измерения Значение
Постоянное обратное напряжение диода Uобр. max В 40
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода (длительность импульса не более 2 мкс, скважность не менее10) Uобр. и max В 60
Суммарный максимально допустимый средний прямой ток через все элементы или любой одиночный диод в диапазоне температур окружающей среды от минус 60 до 60 С

при температуре окружающей среды 85 С

 Iпр.ср. max мА  

50

30
Суммарный максимально допустимый импульсный прямой ток (длительность импульса не более 2 мкс, скважность не менее 10, без превышения Iпр,ср max через все элементы или любой одиночный диод) в диапазоне температур окружающей среды от минус 60 до 60 С

при температуре окружающей среды 85 С

 Iпр,и,max А  

0,7

0,5
  1. Длительность импульса при расчёте скважности определяется на уровне обратного напряжения 40В
  2. В диапазоне температур окружающей среды от 60 до 85 С значения токов снижаются по линейному закону.